Продукція > VISHAY > SQ2319ADS-T1_GE3
SQ2319ADS-T1_GE3

SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay

sq2319ads.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2319ADS-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQ2319ADS-T1_GE3 за ціною від 16.16 грн до 83.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.74 грн
6000+18.43 грн
9000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
453+27.22 грн
454+27.16 грн
544+22.67 грн
547+21.75 грн
681+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 453
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2319ads.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+29.47 грн
25+29.17 грн
50+28.06 грн
100+21.69 грн
250+20.71 грн
500+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF906306686A4143&compId=SQ2319ADS.pdf?ci_sign=97610ee46f0a60ea4ef093383871d5f26a4745c4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.68 грн
11+37.21 грн
44+21.30 грн
120+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2319ads.pdf MOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.08 грн
10+45.71 грн
100+27.29 грн
500+22.80 грн
1000+19.76 грн
3000+18.01 грн
6000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BF906306686A4143&compId=SQ2319ADS.pdf?ci_sign=97610ee46f0a60ea4ef093383871d5f26a4745c4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -2A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 10.5nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 174 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.62 грн
10+46.37 грн
44+25.56 грн
120+24.13 грн
1000+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2319ads.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.86 грн
10+50.35 грн
100+32.95 грн
500+23.89 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614538.pdf Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2614538.pdf Description: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2319ads.pdf P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.