SQ2319CES-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 45.10 грн |
| 12+ | 26.89 грн |
| 50+ | 19.53 грн |
| 100+ | 16.11 грн |
| 500+ | 12.19 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
8 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2319CES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm.
Інші пропозиції SQ2319CES-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2319CES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET |
на замовлення 16490 шт: термін постачання 131-140 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SQ2319CES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQ2319CES-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 16490 шт:
термін постачання 131-140 дні (днів)
| SQ2319CES-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
Description: VISHAY - SQ2319CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)