Продукція > VISHAY > SQ2325ES-T1_GE3
SQ2325ES-T1_GE3

SQ2325ES-T1_GE3 Vishay

sq2325es.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2325ES-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ2325ES-T1_GE3 за ціною від 15.96 грн до 76.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006544.pdf Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.64 грн
500+22.54 грн
1000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2325es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -2A
Drain current: -1A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 4.4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.48 грн
12+33.89 грн
50+27.26 грн
100+24.70 грн
500+19.74 грн
1000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2325es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Power dissipation: 1W
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -2A
Drain current: -1A
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 4.4Ω
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2578 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.78 грн
10+42.23 грн
50+32.71 грн
100+29.64 грн
500+23.69 грн
1000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2325es.pdf MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 161808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.93 грн
10+42.44 грн
100+27.85 грн
500+22.18 грн
1000+20.03 грн
3000+17.34 грн
6000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2325es.pdf Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.84 грн
50+43.98 грн
100+31.07 грн
500+23.98 грн
1500+19.48 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.36 грн
10+45.80 грн
100+29.95 грн
500+21.71 грн
1000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3
Код товару: 164123
Додати до обраних Обраний товар

sq2325es.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1-GE3 SQ2325ES-T1-GE3 Виробник : Vishay sq2325es.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.