Інші пропозиції SQ2325ES-T1_GE3 за ціною від 14.36 грн до 71.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
 MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 161808 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SQ2325ES-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 161808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.22 грн |
| 10+ | 38.19 грн |
| 100+ | 25.06 грн |
| 500+ | 19.95 грн |
| 1000+ | 18.02 грн |
| 3000+ | 15.60 грн |
| 6000+ | 14.36 грн |
| SQ2325ES-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.45 грн |
| 10+ | 42.85 грн |
| 100+ | 28.02 грн |
| 500+ | 20.31 грн |
| 1000+ | 18.39 грн |