Продукція > VISHAY > SQ2325ES-T1_GE3
SQ2325ES-T1_GE3

SQ2325ES-T1_GE3 Vishay

sq2325es.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2325ES-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ2325ES-T1_GE3 за ціною від 16.65 грн до 79.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3006544.pdf Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.97 грн
500+23.51 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2325es.pdf MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 161808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.39 грн
10+44.28 грн
100+29.06 грн
500+23.13 грн
1000+20.89 грн
3000+18.09 грн
6000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2325es.pdf Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+65.55 грн
50+45.88 грн
100+32.41 грн
500+25.01 грн
1500+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.66 грн
10+47.78 грн
100+31.24 грн
500+22.65 грн
1000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2325es.pdf SQ2325ES-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.19 грн
47+25.61 грн
128+24.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3
Код товару: 164123
Додати до обраних Обраний товар

sq2325es.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1-GE3 SQ2325ES-T1-GE3 Виробник : Vishay sq2325es.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3 SQ2325ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2325es.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.