на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2325ES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 840mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ2325ES-T1_GE3 за ціною від 16.19 грн до 87.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 2843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 173004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 840mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQ2325ES-T1-GE3 SMD P channel transistors |
на замовлення 2959 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
SQ2325ES-T1_GE3 Код товару: 164123
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 150V 1A Automotive 3-Pin TO-236 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2325ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236 |
товару немає в наявності |