Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2337CES-T1_GE3
SQ2337CES-T1_GE3

SQ2337CES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2337ces.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.58 грн
13+24.69 грн
100+15.82 грн
500+11.23 грн
1000+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2337CES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2337CES-T1_GE3 за ціною від 7.87 грн до 48.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2337CES-T1_GE3 SQ2337CES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2337ces.pdf MOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 40384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.07 грн
11+28.96 грн
100+16.22 грн
500+12.32 грн
1000+10.20 грн
3000+8.62 грн
6000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3 SQ2337CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2337ces.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.