Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2337ES-T1_BE3
SQ2337ES-T1_BE3

SQ2337ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2337es.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.10 грн
6000+14.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2337ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2337ES-T1_BE3 за ціною від 18.52 грн до 71.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ2337ES-T1_BE3 SQ2337ES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2337es.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.95 грн
10+43.15 грн
100+28.22 грн
500+20.46 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1"BE3 SQ2337ES-T1"BE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ2337ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 2.2A, SOT-23
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3 SQ2337ES-T1_BE3 Vishay / Siliconix sq2337es.pdf MOSFETs P-CHANNEL 80V (D-S)
на замовлення 148914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3 sq2337es.pdf
SQ2337ES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.95 грн
10+43.15 грн
100+28.22 грн
500+20.46 грн
1000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1"BE3
SQ2337ES-T1"BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2337ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 2.2A, SOT-23
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3 sq2337es.pdf
SQ2337ES-T1_BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 80V (D-S)
на замовлення 148914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.