SQ2348ES-T1_GE3 Vishay
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 43.58 грн |
| 354+ | 32.92 грн |
| 358+ | 32.58 грн |
| 500+ | 25.33 грн |
| 1000+ | 18.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2348ES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ2348ES-T1_GE3 за ціною від 12.16 грн до 52.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ2348ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2348ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 155225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2348ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.02 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 64225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ2348ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SQ2348ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23 |
на замовлення 1404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
SQ2348ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SQ2348ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SQ2348ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
SQ2348ES-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2348ES-T1_GE3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
SQ2348ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A; 1W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 42mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |