Продукція > VISHAY > SQ2348ES-T1_GE3
SQ2348ES-T1_GE3

SQ2348ES-T1_GE3 VISHAY

sq2348es.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+39.72 грн
500+25.43 грн
1500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2348ES-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQ2348ES-T1_GE3 за ціною від 12.90 грн до 89.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQ2348ES-T1_GE3 SQ2348ES-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq2348es.pdf MOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 155225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.93 грн
10+41.50 грн
100+26.92 грн
500+21.14 грн
1000+16.49 грн
3000+14.66 грн
9000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3 SQ2348ES-T1_GE3 VISHAY sq2348es.pdf Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+89.63 грн
50+63.73 грн
100+39.72 грн
500+25.43 грн
1500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3 SQ2348ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2348es.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3 sq2348es.pdf
SQ2348ES-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 155225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.93 грн
10+41.50 грн
100+26.92 грн
500+21.14 грн
1000+16.49 грн
3000+14.66 грн
9000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3 sq2348es.pdf
SQ2348ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 48162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+89.63 грн
50+63.73 грн
100+39.72 грн
500+25.43 грн
1500+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3 sq2348es.pdf
SQ2348ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.