Продукція > VISHAY > SQ2351ES-T1_GE3
SQ2351ES-T1_GE3
  • SQ2351ES-T1_GE3
  • SQ2351ES-T1_GE3

SQ2351ES-T1_GE3 VISHAY

SQ2351ES.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Gate charge: 5.5nC
On-state resistance: 0.115Ω
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.77 грн
21+20.38 грн
25+18.46 грн
100+16.29 грн
500+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2351ES-T1_GE3 VISHAY

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SQ2351ES-T1_GE3 за ціною від 11.03 грн до 43.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2351es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2351es.pdf MOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 100570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.10 грн
11+30.48 грн
100+20.05 грн
500+15.54 грн
1000+13.11 грн
3000+11.86 грн
9000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3 SQ2351ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2351es.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 8829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.71 грн
10+36.23 грн
100+27.02 грн
500+19.92 грн
1000+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1-GE3 SQ2351ES-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.