Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2361AEES-T1_GE3
SQ2361AEES-T1_GE3

SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2361aees.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.63 грн
6000+14.29 грн
9000+13.27 грн
30000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2361AEES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2361AEES-T1_GE3 за ціною від 12.14 грн до 55.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2361AEES-T1_GE3 SQ2361AEES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2361aees.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 SQ2361AEES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2361aees.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.96 грн
6000+24.63 грн
12000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 SQ2361AEES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2361aees.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.30 грн
10+38.12 грн
100+26.53 грн
500+19.44 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 SQ2361AEES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2361aees.pdf MOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 79846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.06 грн
10+41.57 грн
100+24.22 грн
500+18.66 грн
1000+16.40 грн
3000+13.10 грн
9000+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 SQ2361AEES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2361aees.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.