Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2361CES-T1_GE3
SQ2361CES-T1_GE3

SQ2361CES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2361ces.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.48 грн
6000+10.10 грн
9000+9.62 грн
15000+8.52 грн
21000+8.22 грн
30000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2361CES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2361CES-T1_GE3 за ціною від 10.41 грн до 50.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2361CES-T1_GE3 SQ2361CES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2361ces.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 11172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+45.29 грн
12+30.74 грн
100+20.01 грн
500+15.77 грн
1000+13.05 грн
3000+11.13 грн
9000+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3 SQ2361CES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2361ces.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.22 грн
12+29.60 грн
100+18.99 грн
500+13.52 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2361ces.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2361ces.pdf Automotive P-Channel 60 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23 90M , 177 m @ 10V m @ 7.5V 246 m @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1/GE3 Виробник : Vishay Vishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1-GE3 Виробник : Vishay MOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.