SQ2361CES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 24.01 грн |
| 21+ | 15.94 грн |
| 25+ | 14.21 грн |
| 100+ | 11.48 грн |
| 250+ | 10.60 грн |
| 500+ | 10.06 грн |
| 1000+ | 9.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2361CES-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQ2361CES-T1_BE3 за ціною від 9.99 грн до 54.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2361CES-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2361CES-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ2361CES-T1_BE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SQ2361CES-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |