Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2361ES-T1_BE3
SQ2361ES-T1_BE3

SQ2361ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2361es.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.03 грн
6000+16.89 грн
9000+16.15 грн
15000+14.39 грн
21000+14.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2361ES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2361ES-T1_BE3 за ціною від 15.17 грн до 77.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2361ES-T1_BE3 SQ2361ES-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2361es.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 170839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.56 грн
10+43.82 грн
100+26.03 грн
500+21.81 грн
1000+18.56 грн
3000+15.77 грн
6000+15.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3 SQ2361ES-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2361es.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.55 грн
10+46.61 грн
100+30.40 грн
500+21.99 грн
1000+19.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3 Виробник : Vishay sq2361es.pdf Transistor P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.