на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2361ES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SQ2361ES-T1_GE3 за ціною від 13.50 грн до 74.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2361ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2361ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 198140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2361ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2361ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 164791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.13 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 198140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 142900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2361ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SQ2361ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQ2361ES-T1-GE3 SMD P channel transistors |
товару немає в наявності |