SQ2362CES-T1_GE3 Vishay Siliconix
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.68 грн |
| 11+ | 27.81 грн |
| 50+ | 20.28 грн |
| 100+ | 16.72 грн |
| 500+ | 12.66 грн |
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Технічний опис SQ2362CES-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 3W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm.
Інші пропозиції SQ2362CES-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SQ2362CES-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET |
на замовлення 63739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
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SQ2362CES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
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SQ2362CES-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 3W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQ2362CES-T1_GE3 |
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Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 63739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQ2362CES-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQ2362CES-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
Description: VISHAY - SQ2362CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)