Продукція > VISHAY > SQ2362ES-T1_GE3
SQ2362ES-T1_GE3

SQ2362ES-T1_GE3 Vishay

sq2362es.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+11.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2362ES-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2362ES-T1_GE3 за ціною від 12.95 грн до 69.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2362es.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
606+20.10 грн
629+19.37 грн
1000+18.74 грн
2500+17.53 грн
5000+15.80 грн
10000+14.79 грн
Мінімальне замовлення: 606
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2362es.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
552+22.05 грн
Мінімальне замовлення: 552
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013891854-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.39 грн
500+20.94 грн
1500+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2362es.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 147mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Mounting: SMD
Case: SOT23
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.03 грн
13+30.01 грн
50+25.78 грн
56+16.10 грн
154+15.19 грн
1000+14.82 грн
1500+14.66 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2362es.pdf MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 15098 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.37 грн
10+42.14 грн
100+27.72 грн
500+21.77 грн
1000+16.91 грн
3000+14.37 грн
9000+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2362es.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; Idm: 17A; 1W; SOT23
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
On-state resistance: 147mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 17A
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.63 грн
10+37.40 грн
50+30.93 грн
56+19.32 грн
154+18.23 грн
1000+17.78 грн
1500+17.60 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2362es.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+60.77 грн
14+45.16 грн
100+31.20 грн
500+23.12 грн
1000+19.36 грн
3000+14.71 грн
9000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013891854-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 36257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+66.02 грн
50+41.03 грн
100+29.39 грн
500+20.94 грн
1500+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2362es.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2362es.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2362ES-T1_GE3 SQ2362ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2362es.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.