на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 11.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2362ES-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ2362ES-T1_GE3 за ціною від 12.98 грн до 70.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 20189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 36257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-Channel 60V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 15098 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 14990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2362ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 36257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
SQ2362ES-T1-GE3 SMD N channel transistors |
на замовлення 1899 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQ2362ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |