Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2364EES-T1_BE3
SQ2364EES-T1_BE3

SQ2364EES-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq2364ees.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2364EES-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2364EES-T1_BE3 за ціною від 17.79 грн до 95.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ2364EES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_BE3 Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
239+61.37 грн
304+48.10 грн
353+41.46 грн
500+28.62 грн
3000+21.23 грн
9000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_BE3 Vishay Siliconix sq2364ees.pdf Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.01 грн
10+45.67 грн
50+33.67 грн
100+27.97 грн
500+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_BE3 Vishay sq2364ees.pdf MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+82.07 грн
10+37.38 грн
100+28.83 грн
500+22.22 грн
1000+21.17 грн
3000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_BE3 Vishay sq2364ees.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.63 грн
13+61.37 грн
50+48.10 грн
100+39.98 грн
500+26.50 грн
3000+20.38 грн
9000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_BE3 VISHAY sq2364ees.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1"BE3 SQ2364EES-T1"BE3 VISHAY Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"BE3 - N-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET 87AJ3530
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 SQ2364EES-T1_BE3 VISHAY sq2364ees.pdf Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 sq2364ees.pdf
SQ2364EES-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
239+61.37 грн
304+48.10 грн
353+41.46 грн
500+28.62 грн
3000+21.23 грн
9000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 239 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 sq2364ees.pdf
SQ2364EES-T1_BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.01 грн
10+45.67 грн
50+33.67 грн
100+27.97 грн
500+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 sq2364ees.pdf
SQ2364EES-T1_BE3
Виробник: Vishay
MOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5020 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.07 грн
10+37.38 грн
100+28.83 грн
500+22.22 грн
1000+21.17 грн
3000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 sq2364ees.pdf
SQ2364EES-T1_BE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+95.63 грн
13+61.37 грн
50+48.10 грн
100+39.98 грн
500+26.50 грн
3000+20.38 грн
9000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 sq2364ees.pdf
SQ2364EES-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1"BE3
SQ2364EES-T1"BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1"BE3 - N-CHANNEL 60-V D-S 175C MOSFET 87AJ3530
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.24ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2364EES-T1_BE3 sq2364ees.pdf
SQ2364EES-T1_BE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2364EES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.24 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.