на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 16.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2389ES-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ2389ES-T1_GE3 за ціною від 16.34 грн до 50.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A On-state resistance: 169mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Mounting: SMD |
на замовлення 2126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 32123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A On-state resistance: 169mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 12nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2126 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 103818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|