на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 15.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ2389ES-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ2389ES-T1_GE3 за ціною від 14.09 грн до 76.2 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A On-state resistance: 169mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Mounting: SMD Case: SOT23 |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ2389ES-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23 Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -40V Drain current: -4.1A On-state resistance: 169mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1W Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -16A Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2958 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|