Продукція > VISHAY > SQ2389ES-T1_GE3
SQ2389ES-T1_GE3

SQ2389ES-T1_GE3 Vishay


2098475737053628sq2389es.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 4.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2389ES-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQ2389ES-T1_GE3 за ціною від 16.84 грн до 52.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2389es.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.13 грн
6000+17.59 грн
9000+16.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2389es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 169mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.48 грн
13+31.52 грн
45+20.52 грн
123+19.42 грн
1000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2389es.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.90 грн
10+36.00 грн
100+27.10 грн
500+21.93 грн
1000+20.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq2389es.pdf MOSFETs -40V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 27415 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.51 грн
10+43.04 грн
25+36.60 грн
100+28.15 грн
500+24.07 грн
1000+21.28 грн
3000+18.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2389es.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.1A; Idm: -16A; 1W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.1A
On-state resistance: 169mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -16A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2126 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.77 грн
10+39.28 грн
45+24.62 грн
123+23.30 грн
1000+22.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2389es.pdf Description: VISHAY - SQ2389ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.1 A, 0.094 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.094ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 103818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+52.40 грн
50+42.41 грн
100+32.34 грн
500+21.30 грн
1500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.