Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2398ES-T1_GE3
SQ2398ES-T1_GE3

SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2398es.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.92 грн
6000+15.91 грн
9000+15.22 грн
15000+13.56 грн
21000+13.13 грн
30000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2398ES-T1_GE3 за ціною від 12.41 грн до 77.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2398es.pdf Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.79 грн
500+22.73 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2398es.pdf MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 71550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.56 грн
10+36.55 грн
100+22.72 грн
500+18.75 грн
1000+16.94 грн
3000+12.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.92 грн
10+43.79 грн
100+28.57 грн
500+20.68 грн
1000+18.70 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2398es.pdf Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+77.82 грн
17+48.71 грн
100+31.79 грн
500+22.73 грн
1000+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.