Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2398ES-T1_GE3
SQ2398ES-T1_GE3

SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2398es.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.03 грн
9000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2398ES-T1_GE3 за ціною від 13.36 грн до 81.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Semiconductors sq2398es.pdf MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 71550 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
6+58.77 грн
10+39.37 грн
100+24.47 грн
500+20.19 грн
1000+18.24 грн
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.56 грн
10+48.95 грн
50+36.10 грн
100+29.97 грн
500+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0013891899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 13370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0013891899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 13370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 71550 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.77 грн
10+39.37 грн
100+24.47 грн
500+20.19 грн
1000+18.24 грн
3000+13.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 sq2398es.pdf
SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+81.56 грн
10+48.95 грн
50+36.10 грн
100+29.97 грн
500+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 VISH-S-A0013891899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 13370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 VISH-S-A0013891899-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQ2398ES-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ2398ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.67 A, 0.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.67A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 13370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.