Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ2398ES-T1_GE3
SQ2398ES-T1_GE3

SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq2398es.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 213000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ2398ES-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ2398ES-T1_GE3 за ціною від 14.73 грн до 75.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Виробник : Vishay sq2398es.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq2398es.pdf MOSFETs N Ch 100Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 96884 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.87 грн
10+38.97 грн
100+23.66 грн
500+19.88 грн
1000+16.98 грн
3000+15.46 грн
6000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 SQ2398ES-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq2398es.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 152 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 214333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+75.36 грн
10+45.13 грн
100+29.42 грн
500+21.28 грн
1000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2398ES-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq2398es.pdf SQ2398ES-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.