SQ3419CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq3419cev.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.78 грн
9000+11.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3419CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ3419CEV-T1_GE3 за ціною від 16.11 грн до 58.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ3419CEV-T1_GE3 SQ3419CEV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3419cev.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.13 грн
10+34.80 грн
50+25.49 грн
100+21.09 грн
500+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3 SQ3419CEV-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq3419cev.pdf MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3 sq3419cev.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 35830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+58.13 грн
10+34.80 грн
50+25.49 грн
100+21.09 грн
500+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419CEV-T1_GE3 sq3419cev.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4082 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.