Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ3419EV-T1_BE3
SQ3419EV-T1_BE3

SQ3419EV-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq3419ev.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.21 грн
6000+16.61 грн
9000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3419EV-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ3419EV-T1_BE3 за ціною від 15.93 грн до 52.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ3419EV-T1_BE3 SQ3419EV-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3419ev.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.63 грн
10+39.98 грн
100+27.69 грн
500+21.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_BE3 SQ3419EV-T1_BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq3419ev.pdf MOSFET P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 33971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.57 грн
10+44.90 грн
100+27.01 грн
500+22.60 грн
1000+19.23 грн
3000+16.81 грн
6000+15.93 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_BE3 Виробник : Vishay sq3419ev.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.