SQ3419EV-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.83 грн |
| 500+ | 23.23 грн |
| 1000+ | 16.25 грн |
| 5000+ | 14.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3419EV-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ3419EV-T1_GE3 за ціною від 14.68 грн до 72.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 29499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |