SQ3419EV-T1_GE3

SQ3419EV-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq3419ev.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 5725 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.72 грн
10+39.78 грн
100+27.54 грн
500+21.59 грн
1000+18.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3419EV-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc), FET Type: P-Channel, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: 6-TSOP.

Інші пропозиції SQ3419EV-T1_GE3 за ціною від 15.58 грн до 73.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ3419EV-T1_GE3 SQ3419EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq3419ev.pdf MOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.99 грн
10+45.58 грн
100+25.94 грн
500+20.10 грн
1000+18.15 грн
3000+16.90 грн
9000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3419EV-T1_GE3 SQ3419EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3419ev.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.