SQ3419EV-T1_GE3 Vishay
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 35.41 грн |
| 23+ | 33.29 грн |
| 25+ | 32.52 грн |
| 100+ | 27.10 грн |
| 250+ | 18.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3419EV-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQ3419EV-T1_GE3 за ціною від 18.37 грн до 47.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 2890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: 6-TSOP Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V |
на замовлення 5725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 29499 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
SQ3419EV-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R |
на замовлення 358 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 27 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SQ3419EV-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) |
на замовлення 10001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| SQ3419EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 38.60 грн |
| SQ3419EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 341+ | 41.50 грн |
| SQ3419EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Description: MOSFET P-CH 40V 6.9A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 5725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.71 грн |
| 10+ | 39.76 грн |
| 100+ | 27.53 грн |
| 500+ | 21.58 грн |
| 1000+ | 18.37 грн |
| SQ3419EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
MOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 29499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SQ3419EV-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQ3419EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
Trans MOSFET P-CH 40V 6.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SQ3419EV-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Description: VISHAY - SQ3419EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 6.9 A, 0.048 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 10001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)