на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 467+ | 26.45 грн |
| 525+ | 23.53 грн |
| 535+ | 23.10 грн |
| 586+ | 20.35 грн |
| 1000+ | 17.60 грн |
| 3000+ | 16.51 грн |
| 6000+ | 16.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3426AEEV-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ3426AEEV-T1_GE3 за ціною від 17.22 грн до 84.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQ3426AEEV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 7716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ3426AEEV-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 16554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ3426AEEV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ3426AEEV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SQ3426AEEV-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
SQ3426AEEV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| SQ3426AEEV-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape On-state resistance: 71mΩ Power dissipation: 5W Drain current: 7A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 29A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC |
товару немає в наявності |