Продукція > VISHAY > SQ3426AEEV-T1_GE3
SQ3426AEEV-T1_GE3

SQ3426AEEV-T1_GE3 Vishay

sq3426aeev.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+25.95 грн
25+24.21 грн
100+20.77 грн
250+18.88 грн
500+16.55 грн
1000+15.47 грн
3000+15.11 грн
6000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3426AEEV-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ3426AEEV-T1_GE3 за ціною від 15.89 грн до 81.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ3426AEEV-T1_GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3426aeev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101
на замовлення 7716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
467+26.07 грн
525+23.19 грн
535+22.77 грн
586+20.05 грн
1000+17.35 грн
3000+16.28 грн
6000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 467
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq3426eev.pdf MOSFETs 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 16554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+39.04 грн
10+37.98 грн
100+24.29 грн
500+20.40 грн
1000+18.93 грн
3000+17.17 грн
6000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3426eev.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.77 грн
10+49.16 грн
100+32.17 грн
500+23.34 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3426aeev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 6-Pin TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3426aeev.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 7A 6-Pin TSOP Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq3426eev.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 SQ3426AEEV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3426eev.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3426AEEV-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq3426eev.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 7A; Idm: 29A; 5W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 71mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.