SQ3426EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 55.67 грн |
| 10+ | 47.43 грн |
| 100+ | 36.36 грн |
| 500+ | 26.97 грн |
| 1000+ | 21.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3426EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 7A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 30 V.
Інші пропозиції SQ3426EV-T1_BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ3426EV-T1_BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S) |
на замовлення 224712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQ3426EV-T1_BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)
MOSFET N-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 224712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)