Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ3427AEEV-T1_BE3

SQ3427AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix


sq3427aeev.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.23 грн
6000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3427AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ3427AEEV-T1_BE3 за ціною від 22.07 грн до 84.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ3427AEEV-T1_BE3 SQ3427AEEV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3427aeev.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.28 грн
10+50.93 грн
100+33.43 грн
500+24.33 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427AEEV-T1_BE3 SQ3427AEEV-T1_BE3 Vishay / Siliconix sq3427aeev.pdf MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 126316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427AEEV-T1_BE3 sq3427aeev.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 5.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.28 грн
10+50.93 грн
100+33.43 грн
500+24.33 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3427AEEV-T1_BE3 sq3427aeev.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 126316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.