SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 23.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3457EV-T1_BE3 Vishay Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A, Mounting: SMD, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -6.8A, On-state resistance: 0.1Ω, Type of transistor: P-MOSFET, Power dissipation: 5W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 21nC, Technology: TrenchFET®, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: -27A, Case: TSOP6, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SQ3457EV-T1_BE3 за ціною від 15.92 грн до 59.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ3457EV-T1_BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs P-CHANNEL 30V (D-S) |
на замовлення 5713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ3457EV-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SQ3457EV-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A Mounting: SMD Drain-source voltage: -30V Drain current: -6.8A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 21nC Technology: TrenchFET® Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -27A Case: TSOP6 |
товару немає в наявності |