SQ3457EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 17.44 грн |
| 6000+ | 15.49 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3457EV-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції SQ3457EV-T1_GE3 за ціною від 15.57 грн до 79.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ3457EV-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ3457EV-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 6338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SQ3457EV-T1_GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SQ3457EV-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 68324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SQ3457EV-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 27.21 грн |
| 500+ | 23.15 грн |
| 1500+ | 20.32 грн |
| SQ3457EV-T1_GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.065 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 6338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 39.02 грн |
| 50+ | 32.50 грн |
| 100+ | 27.21 грн |
| 500+ | 23.15 грн |
| 1500+ | 20.32 грн |
| SQ3457EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 69.91 грн |
| 10+ | 42.36 грн |
| 100+ | 27.70 грн |
| 500+ | 20.08 грн |
| 1000+ | 18.18 грн |
| SQ3457EV-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 68324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 79.18 грн |
| 10+ | 48.98 грн |
| 100+ | 27.93 грн |
| 500+ | 21.58 грн |
| 1000+ | 19.55 грн |
| 3000+ | 16.90 грн |
| 6000+ | 15.57 грн |