Продукція > VISHAY > SQ3457EV-T1_GE3
SQ3457EV-T1_GE3

SQ3457EV-T1_GE3 Vishay

sq3457ev.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 6.8A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3457EV-T1_GE3 Vishay

Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 5W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQ3457EV-T1_GE3 за ціною від 15.96 грн до 49.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ3457EV-T1_GE3 SQ3457EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3457ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.90 грн
6000+17.24 грн
9000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 SQ3457EV-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq3457ev.pdf Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.03 грн
500+19.57 грн
1500+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 SQ3457EV-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq3457ev.pdf Description: VISHAY - SQ3457EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6.8 A, 0.035 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 9094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+33.95 грн
50+27.51 грн
100+23.03 грн
500+19.57 грн
1500+17.41 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 SQ3457EV-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq3457ev.pdf MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 198487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.45 грн
12+29.42 грн
100+21.43 грн
500+19.54 грн
1000+19.09 грн
3000+17.05 грн
6000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 SQ3457EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3457ev.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.79 грн
10+41.50 грн
100+28.74 грн
500+22.53 грн
1000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq3457ev.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3457EV-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq3457ev.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -6.8A; Idm: -27A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 21nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -27A
Case: TSOP6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.