SQ3469EV-T1_BE3 Vishay Siliconix


sq3469ev.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+16.48 грн
6000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3469EV-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 6-TSOP, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: P-Channel, Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQ3469EV-T1_BE3 за ціною від 17.22 грн до 67.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQ3469EV-T1_BE3 SQ3469EV-T1_BE3 Vishay Siliconix sq3469ev.pdf Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.56 грн
10+40.40 грн
100+26.34 грн
500+19.05 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3469EV-T1_BE3 sq3469ev.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+67.56 грн
10+40.40 грн
100+26.34 грн
500+19.05 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.