на замовлення 50501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 68.10 грн |
| 10+ | 44.52 грн |
| 100+ | 26.62 грн |
| 500+ | 22.31 грн |
| 1000+ | 19.36 грн |
| 3000+ | 16.18 грн |
| 6000+ | 15.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3481EV-T1_BE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A, Case: TSOP6, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: -30V, Drain current: -7.5A, Gate charge: 23.5nC, On-state resistance: 70mΩ, Power dissipation: 4W, Gate-source voltage: ±20V, Type of transistor: P-MOSFET, Kind of channel: enhancement, Polarisation: unipolar, Technology: TrenchFET®, Pulsed drain current: -30A, кількість в упаковці: 3000 шт.
Інші пропозиції SQ3481EV-T1_BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SQ3481EV-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.5A Gate charge: 23.5nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 4W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -30A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SQ3481EV-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP |
товару немає в наявності |
|
|
|
SQ3481EV-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 7.5A 6TSOP |
товару немає в наявності |
|
| SQ3481EV-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -7.5A; Idm: -30A Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: -30V Drain current: -7.5A Gate charge: 23.5nC On-state resistance: 70mΩ Power dissipation: 4W Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Technology: TrenchFET® Pulsed drain current: -30A |
товару немає в наявності |