Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ3495EV-T1_GE3
SQ3495EV-T1_GE3

SQ3495EV-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq3495ev.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+17.75 грн
6000+15.78 грн
9000+15.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3495EV-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ3495EV-T1_GE3 за ціною від 13.81 грн до 71.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQ3495EV-T1_GE3 SQ3495EV-T1_GE3 VISHAY sq3495ev.pdf Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.68 грн
500+24.13 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 SQ3495EV-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq3495ev.pdf MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.83 грн
10+33.31 грн
100+22.27 грн
500+19.45 грн
1000+17.69 грн
3000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 SQ3495EV-T1_GE3 VISHAY sq3495ev.pdf Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+50.57 грн
22+38.65 грн
100+29.68 грн
500+24.13 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 SQ3495EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3495ev.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.36 грн
10+43.06 грн
100+28.18 грн
500+20.44 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 sq3495ev.pdf
SQ3495EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+29.68 грн
500+24.13 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 sq3495ev.pdf
SQ3495EV-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 6791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+43.83 грн
10+33.31 грн
100+22.27 грн
500+19.45 грн
1000+17.69 грн
3000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 sq3495ev.pdf
SQ3495EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3495EV-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
17+50.57 грн
22+38.65 грн
100+29.68 грн
500+24.13 грн
1000+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3495EV-T1_GE3 sq3495ev.pdf
SQ3495EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+71.36 грн
10+43.06 грн
100+28.18 грн
500+20.44 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.