SQ3585EV-T1_GE3 Vishay
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ3585EV-T1_GE3 Vishay
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.67W, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 6-TSOP, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ3585EV-T1_GE3 за ціною від 117.28 грн до 279.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ3585EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ3585EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.57A 6TSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.67W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSOP Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ3585EV-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N Ch 20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 22548 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|