Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > SQ3987EV-T1_GE3

SQ3987EV-T1_GE3

sq3987ev.pdf
Код товару: 174743
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SQ3987EV-T1_GE3 за ціною від 14.38 грн до 80.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Vishay TSQ3987EV-T1_GE3_0001.pdf TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET SQ3987EV-T1_GE3 TSQ3987EV-T1_GE3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Semiconductors sq3987ev.pdf MOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 40364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.81 грн
10+40.61 грн
100+24.03 грн
500+20.09 грн
1000+17.06 грн
3000+15.44 грн
6000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Vishay Siliconix sq3987ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.16 грн
10+40.39 грн
100+24.96 грн
500+19.93 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 VISHAY sq3987ev.pdf Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+80.59 грн
50+50.32 грн
100+32.89 грн
500+27.18 грн
1500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 TSQ3987EV-T1_GE3_0001.pdf
SQ3987EV-T1_GE3
Виробник: Vishay
TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET SQ3987EV-T1_GE3 TSQ3987EV-T1_GE3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 sq3987ev.pdf
SQ3987EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 40364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.81 грн
10+40.61 грн
100+24.03 грн
500+20.09 грн
1000+17.06 грн
3000+15.44 грн
6000+14.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 sq3987ev.pdf
SQ3987EV-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+72.16 грн
10+40.39 грн
100+24.96 грн
500+19.93 грн
1000+18.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 sq3987ev.pdf
SQ3987EV-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+80.59 грн
50+50.32 грн
100+32.89 грн
500+27.18 грн
1500+21.85 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.