Продукція > VISHAY > SQ3987EV-T1_GE3
SQ3987EV-T1_GE3

SQ3987EV-T1_GE3 VISHAY

sq3987ev.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
euEccn: NLR
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 7888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.02 грн
500+24.94 грн
1000+22.51 грн
3000+22.07 грн
6000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ3987EV-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQ3987EV-T1_GE3 за ціною від 15.50 грн до 74.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq3987ev.pdf MOSFETs Dual P-Ch -30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 40364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.34 грн
10+43.79 грн
100+25.92 грн
500+21.66 грн
1000+18.39 грн
3000+16.65 грн
6000+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq3987ev.pdf Description: VISHAY - SQ3987EV-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 3 A, 3 A, 0.085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.67W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.67W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+70.00 грн
50+49.03 грн
100+31.29 грн
500+25.33 грн
1500+22.66 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3987ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.82 грн
10+41.88 грн
100+25.88 грн
500+20.66 грн
1000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3987ev.pdf DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 Виробник : Vishay sq3987ev.pdf TRANS DUAL P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET SQ3987EV-T1_GE3 TSQ3987EV-T1_GE3
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+27.18 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3
Код товару: 174743
Додати до обраних Обраний товар

sq3987ev.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ3987EV-T1_GE3 SQ3987EV-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq3987ev.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.67W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 133mOhm @ 1.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.