Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4153EY-T1_GE3
SQ4153EY-T1_GE3

SQ4153EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4153ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4153EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4153EY-T1_GE3 за ціною від 40.81 грн до 148.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4153EY-T1_GE3 SQ4153EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4153ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 12V 25A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.32mOhm @ 14A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 7.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 6 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.21 грн
10+93.90 грн
100+73.00 грн
500+58.07 грн
1000+47.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 SQ4153EY-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq4153ey.pdf MOSFETs P Ch -12Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 30558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.44 грн
10+103.14 грн
100+62.17 грн
500+49.56 грн
1000+46.67 грн
2500+41.12 грн
5000+40.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq4153ey.pdf SQ4153EY-T1-GE3 SMD P channel transistors
на замовлення 2376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.36 грн
12+97.86 грн
32+92.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4153EY-T1_GE3 SQ4153EY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4153ey.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 25A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.