SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 55.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4282EY-T1_BE3 Vishay Siliconix
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A, Type of transistor: N-MOSFET x2, Technology: TrenchFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 8A, Pulsed drain current: 32A, Power dissipation: 3.9W, Case: SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 21mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 47nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції SQ4282EY-T1_BE3 за ціною від 38.97 грн до 120.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4282EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET DUAL N-CHANNEL 30V |
на замовлення 21028 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4282EY-T1_BE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC |
на замовлення 2608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| SQ4282EY-T1_BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 8A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 8A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 3.9W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Gate charge: 47nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |