Продукція > VISHAY > SQ4282EY-T1_GE3
SQ4282EY-T1_GE3

SQ4282EY-T1_GE3 VISHAY

sq4282ey.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.34 грн
500+54.87 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4282EY-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchFET, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SQ4282EY-T1_GE3 за ціною від 37.82 грн до 120.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq4282ey.pdf MOSFETs N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.02 грн
10+91.60 грн
100+61.57 грн
500+52.17 грн
1000+42.48 грн
2500+37.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4282ey.pdf Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.99 грн
10+101.96 грн
100+79.46 грн
500+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Виробник : VISHAY sq4282ey.pdf Description: VISHAY - SQ4282EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8 A, 8 A, 0.01 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.01ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchFET
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.01ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.9W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.75 грн
10+91.77 грн
100+68.34 грн
500+54.87 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4282ey.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4282EY-T1_GE3 SQ4282EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4282ey.pdf Description: MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.