Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4284EY-T1_GE3
SQ4284EY-T1_GE3

SQ4284EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4284ey.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+45.27 грн
5000+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4284EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.9W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4284EY-T1_GE3 за ціною від 45.53 грн до 155.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQ4284EY-T1_GE3 SQ4284EY-T1_GE3 Vishay / Siliconix sq4284ey.pdf MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.12 грн
10+97.17 грн
100+66.89 грн
250+61.73 грн
500+56.07 грн
1000+47.97 грн
2500+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3 SQ4284EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4284ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.54 грн
10+96.07 грн
100+65.46 грн
500+49.14 грн
1000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3 sq4284ey.pdf
SQ4284EY-T1_GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6727 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.12 грн
10+97.17 грн
100+66.89 грн
250+61.73 грн
500+56.07 грн
1000+47.97 грн
2500+45.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4284EY-T1_GE3 sq4284ey.pdf
SQ4284EY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+155.54 грн
10+96.07 грн
100+65.46 грн
500+49.14 грн
1000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.