SQ4284EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 51.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4284EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.9W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQ4284EY-T1_GE3 за ціною від 47.85 грн до 177.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4284EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 40V 8A 3.9W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 6727 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4284EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.9W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4284EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 7.4A On-state resistance: 13.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
SQ4284EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
SQ4284EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.4A; 3.9W; SO8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 7.4A On-state resistance: 13.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 3.9W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 |
товару немає в наявності |