SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 84.32 грн |
| 5000+ | 78.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4401EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.14W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 6Pins, Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm.
Інші пропозиції SQ4401EY-T1_GE3 за ціною від 72.17 грн до 203.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4401EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 25895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4401EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4401EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 17.3 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 7.14W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 6Pins Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm |
на замовлення 25895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4401EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4401EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10.5A, 10V Power Dissipation (Max): 7.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 20 V |
на замовлення 17252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4401EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 17.3A 7.14W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 40233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4401EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ4401EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ4401EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 40V 17.3A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQ4401EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ4401EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT SQ4401EY-T1_GE3 |
товар відсутній |