Продукція > VISHAY > SQ4425EY-T1_BE3
SQ4425EY-T1_BE3

SQ4425EY-T1_BE3 Vishay

sq4425ey.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+111.73 грн
10+97.74 грн
25+97.04 грн
50+92.89 грн
100+71.88 грн
250+64.54 грн
500+59.07 грн
1000+51.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4425EY-T1_BE3 Vishay

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4425EY-T1_BE3 за ціною від 55.90 грн до 157.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4425ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+120.32 грн
117+105.26 грн
118+100.03 грн
142+77.41 грн
250+69.50 грн
500+63.62 грн
1000+55.90 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4425ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.97 грн
10+97.82 грн
100+81.64 грн
500+65.41 грн
1000+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4425ey.pdf MOSFETs P-CHANNEL 30 V
на замовлення 17374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.66 грн
10+111.51 грн
100+76.20 грн
250+71.84 грн
500+65.51 грн
1000+61.31 грн
2500+58.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4425ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4425ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.