Продукція > VISHAY > SQ4425EY-T1_BE3
SQ4425EY-T1_BE3

SQ4425EY-T1_BE3 Vishay

sq4425ey.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+111.19 грн
10+97.27 грн
25+96.57 грн
50+92.44 грн
100+71.53 грн
250+64.23 грн
500+58.79 грн
1000+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4425EY-T1_BE3 Vishay

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4425EY-T1_BE3 за ціною від 55.63 грн до 151.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4425ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+119.74 грн
117+104.76 грн
118+99.55 грн
142+77.04 грн
250+69.17 грн
500+63.31 грн
1000+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4425ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.82 грн
10+94.03 грн
100+78.48 грн
500+62.88 грн
1000+57.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4425ey.pdf MOSFETs P-CHANNEL 30 V
на замовлення 17374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.55 грн
10+107.19 грн
100+73.24 грн
250+69.06 грн
500+62.97 грн
1000+58.93 грн
2500+56.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4425ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4425ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.