Продукція > VISHAY > SQ4425EY-T1_BE3
SQ4425EY-T1_BE3

SQ4425EY-T1_BE3 Vishay

sq4425ey.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
102+124.37 грн
117+108.81 грн
118+103.40 грн
142+80.01 грн
250+71.84 грн
500+65.76 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 102
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4425EY-T1_BE3 Vishay

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4425EY-T1_BE3 за ціною від 61.57 грн до 195.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4425ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+133.26 грн
10+116.58 грн
25+115.74 грн
50+110.79 грн
100+85.73 грн
250+76.97 грн
500+70.46 грн
1000+61.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4425ey.pdf MOSFETs P-CHANNEL 30 V
на замовлення 17374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.90 грн
10+116.63 грн
100+79.70 грн
250+75.15 грн
500+68.52 грн
1000+64.13 грн
2500+61.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4425ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.23 грн
10+121.45 грн
100+83.32 грн
500+63.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4425ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 18A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4425EY-T1_BE3 SQ4425EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4425ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3630 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.