SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix


sq4431ey.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 6W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції SQ4431EY-T1_GE3 за ціною від 29.53 грн до 129.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SQ4431EY-T1_GE3 SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4431ey.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.54 грн
10+64.06 грн
100+49.97 грн
500+38.74 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4431EY-T1_GE3 SQ4431EY-T1_GE3 Vishay Semiconductors sq4431ey.pdf MOSFETs 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 53543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.10 грн
10+80.89 грн
100+46.87 грн
500+37.00 грн
1000+33.76 грн
2500+30.24 грн
5000+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4431EY-T1_GE3 sq4431ey.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1265 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+74.54 грн
10+64.06 грн
100+49.97 грн
500+38.74 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4431EY-T1_GE3 sq4431ey.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 30V 10.8A 6W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 53543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+129.10 грн
10+80.89 грн
100+46.87 грн
500+37.00 грн
1000+33.76 грн
2500+30.24 грн
5000+29.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.