Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4435EY-T1_GE3
SQ4435EY-T1_GE3

SQ4435EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4435ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.92 грн
10+88.07 грн
100+59.47 грн
500+44.31 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4435EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4435EY-T1_GE3 за ціною від 37.47 грн до 157.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4435EY-T1_GE3 SQ4435EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4435ey.pdf MOSFETs P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 10896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.06 грн
10+98.68 грн
100+57.94 грн
500+45.98 грн
1000+42.35 грн
2500+39.05 грн
5000+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4435EY-T1-GE3 SQ4435EY-T1-GE3 Виробник : Vishay sq4435ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4435EY-T1_GE3 SQ4435EY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4435ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4435EY-T1-GE3 Виробник : Vishay sq4435ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 15A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4435EY-T1_GE3 SQ4435EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4435ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 15A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4435EY-T1-GE3 SQ4435EY-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFETs RECOMMENDED ALT SQ44
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.