Продукція > VISHAY > SQ4470EY-T1_GE3
SQ4470EY-T1_GE3

SQ4470EY-T1_GE3 VISHAY

3672817.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+76.71 грн
500+70.37 грн
1000+64.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4470EY-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.01 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7.1W, Bauform - Transistor: SOIC, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.01ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SQ4470EY-T1_GE3 за ціною від 44.96 грн до 144.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4470EY-T1_GE3 SQ4470EY-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq4470ey.pdf MOSFET 60V 16A 7.1W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 12955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.04 грн
10+115.19 грн
100+78.32 грн
500+64.24 грн
1000+50.76 грн
2500+47.29 грн
5000+44.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_GE3 SQ4470EY-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0013276626-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQ4470EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 16 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.1W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.47 грн
10+110.67 грн
100+81.61 грн
500+72.33 грн
1000+63.51 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1-GE3 SQ4470EY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4470ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_GE3 SQ4470EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4470ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4470EY-T1_GE3 SQ4470EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4470ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 16A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.