Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQ4483EY-T1_BE3
SQ4483EY-T1_BE3

SQ4483EY-T1_BE3 Vishay Semiconductors

sq4483ey.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-CHANNEL 30V
на замовлення 3553 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.54 грн
10+92.41 грн
100+56.25 грн
500+45.77 грн
1000+42.32 грн
2500+40.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4483EY-T1_BE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4483EY-T1_BE3 за ціною від 46.33 грн до 130.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4483EY-T1_BE3 SQ4483EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4483ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.80 грн
10+95.43 грн
100+67.71 грн
500+50.52 грн
1000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_BE3 SQ4483EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4483ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_BE3 SQ4483EY-T1_BE3 Виробник : Vishay sq4483ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_BE3 SQ4483EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4483ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.