Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4483EY-T1_GE3
SQ4483EY-T1_GE3

SQ4483EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4483ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.98 грн
10+95.43 грн
100+67.71 грн
500+50.52 грн
1000+46.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4483EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 7W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4483EY-T1_GE3 за ціною від 42.17 грн до 136.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4483EY-T1_GE3 SQ4483EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4483ey.pdf MOSFETs P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 53347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.61 грн
10+102.09 грн
100+64.59 грн
500+51.35 грн
1000+47.45 грн
2500+43.70 грн
5000+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_GE3 SQ4483EY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4483ey.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 30A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4483EY-T1_GE3 SQ4483EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4483ey.pdf Description: MOSFET P-CHANNEL 30V 30A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.