SQ4532AEY-T1_BE3

SQ4532AEY-T1_BE3 Vishay Siliconix


sq4532aey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4532AEY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4532AEY-T1_BE3 за ціною від 24.38 грн до 107.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4532AEY-T1_BE3 SQ4532AEY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4532aey.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.01 грн
10+60.25 грн
100+39.90 грн
500+29.25 грн
1000+26.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4532AEY-T1_BE3 SQ4532AEY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4532aey.pdf MOSFETs N/P CHANNEL 30V
на замовлення 8183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.71 грн
10+67.69 грн
100+38.59 грн
500+36.06 грн
2500+30.62 грн
5000+29.91 грн
10000+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.