Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4532AEY-T1_GE3
SQ4532AEY-T1_GE3

SQ4532AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4532aey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.4 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4532AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.3W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4532AEY-T1_GE3 за ціною від 21.47 грн до 60.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQ4532AEY-T1_GE3 SQ4532AEY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4532aey.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 7.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), 5.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535pF @ 15V, 528pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.9A, 10V, 70mOhm @ 3.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 10V, 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.73 грн
10+ 47.47 грн
25+ 45.05 грн
100+ 34.74 грн
250+ 32.47 грн
500+ 28.7 грн
1000+ 22.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ4532AEY-T1_GE3 SQ4532AEY-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sq4532aey.pdf MOSFET N Ch 30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 24873 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.18 грн
10+ 49.07 грн
100+ 33.03 грн
500+ 28.53 грн
1000+ 22.92 грн
2500+ 21.8 грн
5000+ 21.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQ4532AEY-T1_GE3 SQ4532AEY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4532aey.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 7.3A/5.3A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній