Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4850EY-T1_BE3
SQ4850EY-T1_BE3

SQ4850EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

sq4850ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.29 грн
10+75.71 грн
100+58.88 грн
500+46.84 грн
1000+38.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4850EY-T1_BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V, Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4850EY-T1_BE3 за ціною від 35.53 грн до 105.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4850EY-T1_BE3 SQ4850EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4850ey.pdf MOSFET N-CHANNEL 60V
на замовлення 57843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.57 грн
10+84.60 грн
100+57.46 грн
500+48.70 грн
1000+39.65 грн
2500+37.30 грн
5000+35.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4850EY-T1_BE3 SQ4850EY-T1_BE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4850ey.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.