SQ4850EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 35.44 грн |
| 5000+ | 31.80 грн |
| 7500+ | 31.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4850EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 6.8W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQ4850EY-T1_GE3 за ціною від 30.61 грн до 148.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4850EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ4850EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ4850EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
SQ4850EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 60V 12A 6.8W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 59216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ4850EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 6.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
SQ4850EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4850EY-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.022 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.8W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| SQ4850EY-T1-GE3 |
на замовлення 798200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
|
|
SQ4850EY-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ4850EY-T1_GE3 |
товару немає в наявності |