Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4917CEY-T1_GE3
SQ4917CEY-T1_GE3

SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4917cey.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.04 грн
10+74.88 грн
100+50.32 грн
500+37.38 грн
1000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4917CEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4917CEY-T1_GE3 за ціною від 30.04 грн до 129.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4917CEY-T1_GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4917cey.pdf MOSFETs DUAL P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFE
на замовлення 9578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.00 грн
10+80.77 грн
100+47.36 грн
500+37.48 грн
1000+34.49 грн
2500+32.68 грн
5000+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1_GE3 SQ4917CEY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4917cey.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1-GE3 Виробник : Vishay MOSFETs SO8 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4917CEY-T1/GE3 Виробник : Vishay MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.