SQ4917EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 54.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4917EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQ4917EY-T1_GE3 за ціною від 49.12 грн до 188.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4917EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 4767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4917EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4917EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET Dual P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 62467 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1910pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5308 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4917EY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQ4917EY-T1_GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 60 V, 8 A, 8 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.04ohm Verlustleistung, p-Kanal: 5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SQ4917EY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
MOSFET Automotive Dual P-Channel 60, SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |