Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4920EY-T1_GE3
SQ4920EY-T1_GE3

SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4920ey.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.85 грн
5000+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 4.4W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, FET Feature: Logic Level Gate, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A.

Інші пропозиції SQ4920EY-T1_GE3 за ціною від 46.38 грн до 177.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4920ey.pdf MOSFETs 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 18970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.32 грн
10+105.56 грн
100+62.80 грн
500+50.00 грн
1000+48.89 грн
2500+46.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Power - Max: 4.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.59 грн
10+109.76 грн
100+74.86 грн
500+56.24 грн
1000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1-GE3 SQ4920EY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.