Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4920EY-T1_GE3
SQ4920EY-T1_GE3

SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4920ey.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+52.74 грн
5000+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4920EY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4.4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції SQ4920EY-T1_GE3 за ціною від 52.62 грн до 180.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4920ey.pdf MOSFETs 30V 8A 4.4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.09 грн
10+114.21 грн
100+71.29 грн
250+66.36 грн
500+57.31 грн
1000+53.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1465pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 5949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.65 грн
10+111.66 грн
100+76.15 грн
500+57.20 грн
1000+52.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Виробник : Vishay doc66724.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1-GE3 SQ4920EY-T1-GE3 Виробник : Vishay sq4920ey.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1_GE3 SQ4920EY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4920ey.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4920EY-T1-GE3 SQ4920EY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4920ey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.