SQ4937EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 132.17 грн |
| 10+ | 80.88 грн |
| 100+ | 54.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4937EY-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Supplier Device Package: 8-SOIC, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.9A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480pF @ 25V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Power - Max: 3.3W, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 P-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції SQ4937EY-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4937EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 8302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SQ4937EY-T1_GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
MOSFETs Dual P-Chnl 30-V D-S AEC-Q101 Qualified
на замовлення 8302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)