Продукція > VISHAY > SQ4940AEY-T1_GE3
SQ4940AEY-T1_GE3

SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay

sq4940aey.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
430+28.20 грн
437+27.76 грн
444+27.32 грн
451+25.91 грн
500+23.61 грн
1000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 430
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4940AEY-T1_GE3 за ціною від 23.87 грн до 127.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4940aey.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+30.21 грн
25+29.75 грн
100+28.22 грн
250+25.71 грн
500+24.28 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8ACABB4120B6E0C8&compId=SQ4940AEY.pdf?ci_sign=86fe99915b455aff71f448ee6fe0b3de9ce8a27a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.3A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.53 грн
9+48.52 грн
20+46.47 грн
25+43.48 грн
100+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDC8ACABB4120B6E0C8&compId=SQ4940AEY.pdf?ci_sign=86fe99915b455aff71f448ee6fe0b3de9ce8a27a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 43nC
On-state resistance: 29mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.3A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 32A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.46 грн
20+55.77 грн
25+52.17 грн
100+51.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4940aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.97 грн
10+71.52 грн
100+47.84 грн
500+35.38 грн
1000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sq4940aey.pdf MOSFETs 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 6869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.03 грн
10+80.00 грн
100+46.35 грн
500+36.52 грн
1000+33.35 грн
2500+29.94 грн
5000+27.90 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4940aey.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Виробник : Vishay sq4940aey.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4940aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1-GE3 SQ4940AEY-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sq4940aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.