SQ4940AEY-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 5.3A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 43nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
на замовлення 470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 50.78 грн |
| 20+ | 41.62 грн |
| 53+ | 39.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQ4940AEY-T1_GE3 VISHAY
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.
Інші пропозиції SQ4940AEY-T1_GE3 за ціною від 26.57 грн до 82.12 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQ4940AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 23515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4940AEY-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 5.3A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 29mΩ Mounting: SMD Gate charge: 43nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 470 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4940AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQ4940AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 1398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4940AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
на замовлення 4841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQ4940AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ4940AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 8-Pin SOIC N T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQ4940AEY-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 4W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SQ4940AEY-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC |
товар відсутній |