Продукція > VISHAY SILICONIX > SQ4940AEY-T1_GE3
SQ4940AEY-T1_GE3

SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

sq4940aey.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 4W, Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQ4940AEY-T1_GE3 за ціною від 34.01 грн до 123.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 VISHAY SQ4940AEY.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 5.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 29mΩ
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+62.18 грн
9+51.55 грн
25+46.19 грн
100+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay sq4940aey.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
199+71.06 грн
205+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay Siliconix sq4940aey.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.57 грн
10+75.24 грн
100+50.34 грн
500+37.23 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY-T1_GE3 Vishay Semiconductors sq4940aey.pdf MOSFETs 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 SQ4940AEY.pdf
SQ4940AEY-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 5.3A; Idm: 32A
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 43nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchFET®
Drain current: 5.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
On-state resistance: 29mΩ
на замовлення 351 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+62.18 грн
9+51.55 грн
25+46.19 грн
100+44.18 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 sq4940aey.pdf
SQ4940AEY-T1_GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 40V 8A 8-Pin SOIC N T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
199+71.06 грн
205+69.06 грн
Мінімальне замовлення: 199 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 sq4940aey.pdf
SQ4940AEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.57 грн
10+75.24 грн
100+50.34 грн
500+37.23 грн
1000+34.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ4940AEY-T1_GE3 sq4940aey.pdf
SQ4940AEY-T1_GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 40V 8A 4W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 5915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.